Нужна помощь?
+74959709264
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW
Samsung MZ-V7S1T0BW

Samsung MZ-V7S1T0BW

9 490 р.
  • Производитель:SAMSUNG
  • Доступность:На складе
ОБЩИЕ
Вес
8 г
Общие характеристики
Емкость
1000 ГБ
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Основные характеристики
Форм-фактор
2280
Тип флэш-памяти
TLC 3D NAND
Контроллер
Samsung Phoenix
Параметры накопителя
Объем буфера
1024 МБ
Поддержка NVMe
есть
Поддержка TRIM
есть
Скорость чтения
3500 МБ/с
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
600 ТБ
Шифрование данных
есть
Скорость записи
3300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
550000 IOPS
Поддержка секторов размером 4 КБ
есть
Время наработки на отказ
1500000 ч
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Подключение
Интерфейс PCI-E
есть
Тип PCI-E
PCI-E 3.0 x4
Разъем M.2
есть
ДОПОЛНИТЕЛЬНО
Макс. рабочая температура
70° C
Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Габариты и комплектакция
Высота
2.38 мм

Написать отзыв

Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
    Плохо           Хорошо